随着用户对充电器通用性、便携性的需求提高,GaN快充市场规模将快速上升,预计 2020 年全球 GaN 充电器市场规模为 23 亿元,2025 年将快速上升至 638 亿元,5 年复合年均增长率高达 94%。同时,综合性能和成本两个方面,GaN 也有望在未来成为消费电子领域快充器件的主流选择,而充电市场只是 GaN 应用的“冰山一角”。
小米日前发布年度旗舰手机小米10,同步推出一款售价149元的Type-C 65W GaN充电器成功吸引了投资者的目光,次日A股上市公司三安光电、海特高新、富满电子、云南锗业、士兰微等相关概念股纷纷获得大涨。
真实需求or营销噱头
据小米集团董事长兼CEO雷军介绍,GaN是一种新型半导体材料,做出的充电器体积特别小,充电效率却特别高,发热低,同时兼容手机与笔记本电脑。小米GaN 65W充电器比标配的65W充电器体积要小一半,充满配备4500mAh电池的小米10 Pro仅需45分钟。同样为iPhone 11充电,GaN充电器速度比原装快一倍。
实际上,小米并不是第一个发布GaN充电器的手机厂商。早在去年11月,OPPO发布的Reno Ace手机便搭载了GaN充电器。
此外,华为、三星、苹果也在GaN技术上有着较深的积累,海思、中兴微电子等也早有布局,据业内人士透露,今年华为、vivo等手机品牌厂商还会推出GaN充电器。
根据市场研究机构Yole估计,2024年,仅在手机和笔记本快充领域,氮化镓市场可达3.58亿美元;乐观情况下,氮化镓功率市场规模将超过7.5亿美元。
不过,有使用过GaN充电器的业内人士表示,与Si相比,GaN充电器的体积并没有小太多,发热功率跟大。同时,不少网友都认为这款65W GaN充电器仅仅是手机厂商一种营销的噱头。
作为国家宽禁带半导体工程研究中心的共建单位,亚成微在基于GaN集成电路的研发方面已经取得实质性突破。亚成微董事长余远强表示,GaN高频、高温、抗辐照特性应用比较广泛,快充就是ACDC电源应用,涉及到驱动芯片和GaN功率器件。
余远强进一步指出,亚成微就是做驱动芯片,这部分要设计适应GaN功率器件的驱动IC,驱动IC的追求就是高功率密度,而输出功率跟开关频率和电感量成正比关系,因此希望有更高的开关工作频率就对GaN的高频特性产生的兴趣,目前快充电源基本工作在100KHz开关频率,假想如果采用GaN功率器件,把开关频率提高到1MHz(1000KHz),开关工作频率提高10倍,我们是不是可以把电感量减小10倍,那么快充的变压器体积就大大减小(目前变压器体积是阻碍功率密度提高的关键之一)。同时,GaN的开关损耗以及Rdson(导通损耗)比VDMOS有明显的优势,对电源效率提高有帮助。
由此可见,GaN 充电器确实能做到更高功率、更小体积和更高转化效率,对于消费者而言能更加方便携带以及充电更快,将成为充电器升级的重要方向。
值得一提的是,余远强坦言,目前阶段驱动IC做高频500KHz--1MHz的产品有点难度,但是Si工艺成熟,困难不大。
谈到GaN的产业现状,余远强表示,目前国内GaN功率器件并没有量产条件,由于GaN产业链不齐全,硅基GaN材料和GaN工艺都不成熟,PI、纳微(与小米合作GaN的公司)和亚成微等做驱动IC的公司都是在台积电、汉磊等台湾代工厂进行代工。不过,台湾代工厂做的硅基GaN功率器件也是属于耗尽型器件,工作频率很低,只发挥了GaN的低Rdson(导通电阻)这点特性。因此,目前亚成微提高功率密度的方案是coolMOS。
通过采访多名业内人士得知,GaN功率器件市场并不大,相对于成熟的Si而言,GaN产业链目前并不成熟,价格偏高,可靠性、成本等各方面都不具压倒性优势。目前,深耕GaN领域多年的英飞凌在快充市场主推的也是coolMOS方案。
从上述内容可知,虽然目前GaN产业链并不成熟,但确实有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸等优势。
除了应用在快充方面,GaN通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域,5G 通信、雷达预警、卫星通讯等应用;电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用;光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。
鉴于GaN广阔的市场前景,闻泰科技、三安光电、海特高新等国内上市公司也纷纷布局GaN产业链。
闻泰科技旗下安世半导体是全球最大的IDM标准器件半导体供应商,根据安世半导体官网称,公司推出氮化镓效应晶体管(GanFET),该产品主要应用于工业电源、逆变器、转换器、汽车牵引逆变器和车载充电器和转换器等场景。
三安光电旗下三安集成是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂,服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场,具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。官网显示,三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的 4 英寸、6 英寸化合物晶圆制造产线,在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的 SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
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