三星3nm GAA商业量产已经开始。

半导体行业研究公司TechInsights表示，发现三星的 3nm GAA（环栅）工艺已被纳入中国制造商比特微的加密矿机 ASIC（Whatsminer M56S++）中。

TechInsights在独家提供给DIGITIMES Asia的颠覆性技术活动简报中指出，这一发展的意义在于GAA技术的商业化利用，有助于将晶体管微缩至2nm及以上。TechInsights 表示：“这一发展至关重要，因为它有潜力增强性能、提高能源效率、遵循摩尔定律并实现先进应用。”他认为 比特微 ASIC 芯片是业界首款采用 GAA 技术的商业化产品。

这也表明三星是比特微的代工厂，采用 3nm GAA 工艺。DIGITIMES Research半导体分析师Eric Chen指出，三星确实已经开始生产采用3nm GAA工艺的芯片，但产能仍然较小。“从出货中获得收入可以被定义为‘商业化’，但就架构而言，ASIC 是一种生产相对简单的芯片。”

DIGITIMES分析师John Wang强调，三星3nm GAA工艺的良率仍然较低，因此它将尝试获得尽可能多的客户来帮助训练其工艺并提高良率。他们为什么会与中国客户做生意是可以理解的。

分析师表示，3纳米工艺被证明可制造的事实并不一定意味着它已经取得了令人满意的良率，可以为代工厂产生商业价值。

三星声称，与 5nm 技术相比，其第一代 3nm 工艺可降低 45% 的功耗，提高 23% 的性能，并减少 16% 的芯片面积，有望为下一代带来更多进步。

来源：TechInsights；Whatsminer M56S++ SEM XS（跨门，显示3级纳米片）

来源：TechInsight；Whatsminer M56S++芯片照片（背面多晶硅图像

消息称三星将为特斯拉供应下一代汽车自动驾驶芯片

据韩媒《韩国经济》援引半导体业界消息，继今年 5 月三星电子会长李在镕与特斯拉 CEO 马斯克会面后，双方合作关系得到进一步加强。当前最新的消息称，特斯拉“已决定”委托三星电子代工量产供 HW 5.0 使用的芯片。

HW 5.0 是特斯拉重点研发的下一代自动驾驶硬件，预计将在两年左右应用于特斯拉的高端车型（或 L5 级别自动驾驶汽车）。在去年 HW 5.0 开发的早期阶段，特斯拉曾选择台积电作为唯一的代工合作伙伴。

然而，这种情况在过去两三个月发生了变化。三星将其 4nm 等尖端工艺的良品率提高到 70%，与台积电的水平相近。

多名熟悉三星、台积电的人士透露称，“特斯拉已经决定接受李在镕的提议”，且“正在酝酿选择三星和台积电作为多家供应商，或者 100% 外包给三星 ”，因为李在镕“为特斯拉提供了定制化的技术、相对有吸引力的价格”。

今年 5 月，李在镕于三星北美半导体研究中心会见了马斯克，双方讨论了未来尖端产业领域的合作方案。今年 4 月，三星了赢得全球自动驾驶芯片制造商 Mobileye（英特尔专门从事自动驾驶技术的子公司）的尖端芯片订单，为 Mobileye 生产高级驾驶辅助系统芯片“EyeQ”系列产品。

三星4纳米制程良率与台积电

媒体报道，一名分析师表示，三星电子已提高4纳米芯片制程的良率，达到可与台积电相比拟的水准，增添赢回无晶圆厂芯片客户的可能性。

韩国经济日报报道，HI投资证券半导体分析师朴相昱在11日的研究报告指出，三星电子的4纳米芯片制程生产良率已提高到75%，更先进的3纳米制程良率则改善到60%。今年初时，产业人士预估三星电子的4纳米制程良率约为50%。

若3纳米和4纳米等先进制程技术良率超过60%，意味着使用这些制程的芯片生产达到稳定水准。朴相昱说，三星电子能提高制造良率的原因之一，也是芯片业景气趋缓，“随着整体产业放缓，晶圆厂的产能利用率降低，三星投入更多测试晶圆于改善良率”。

他说：“三星10纳米以下的良率改善已放缓，致使三星不断延后推出产品，而良率是苹果、英伟达及高通等关键晶圆代工客户转向台积电的关键”，台积电和三星电子去年的资本支出差距因而拉大到3.4倍，产能差距也扩大到3.3倍，“在7纳米技术以下的制程节点，台积电去年的市占率接近90%，让三星更难赶上”。

朴相昱认为，现在三星电子在先进制程节点的晶圆代工良率已几乎和台积电比肩，提高了赢回高通和英伟达等客户的机率，诱因包括采用环绕闸极（GAA）电晶体架构的3~5纳米制程良率改善，以及芯片业希望降低对台积电的依赖、增加供应来源。

其他分析师也表示，三星电子的3纳米制程良率改善后，在更先进2纳米制程与台积电相竞争的本钱也更雄厚。三星电子和台积电都已承诺要在2025年用2纳米制程量产先进芯片。

三星电子晶圆代工事业主管崔世英6月底表示，2025年将以2纳米制程量产行动芯片，2026年应用于超级电脑和电脑丛集的高效运算（HPC），2027年再应用于车用芯片，同时计划2027年前开始量产1.4纳米芯片。

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