本文由半导体产业纵横（ID:ICVIEWS）综合

研究机构Yole Group日前发布报告，指出中国消费电子厂商引领下，氮化镓(GaN)功率器件应用正大幅增长，到2027年，功率GaN器件市场规模有望达到20亿美元，而2021年仅为1.26亿美元。目前，消费电子领域是氮化镓应用的主要驱动力，该机构预测功率GaN在消费电子市场的需求将从2021年的7960万美元增长到2027年的9.647亿美元，复合年增长率为52%。

GaN器件稳定性高，具有良好的耐热性、导电性和散热性。与硅元件相比，GaN 器件具有更高的电子密度和迁移率。GaN 器件主要用于消费电子市场的快速充电以及通信和宽带应用。

业内人士表示，虽然消费电子市场依然疲软，但GaN器件的前景依然光明。对于GaN市场，中国制造商已经在衬底、外延、设计和合同制造领域进行了布局。中国 GaN 生态系统中最重要的两家制造商是英诺赛科和厦门三安集成电路。

英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

拥有 8 英寸的晶圆厂设施。主要生产30V-650V的GaN功率器件。其快充产品已进入一线笔记本供应链，2021年出货量全球排名第三。

英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台，实现了中国第三代半导体零的突破。

厦门三安集成电路，隶属于三安集团，是一家化合物半导体代工企业，主要为高性能电源设计提供GaN制造服务。当华为在 2019 年遭到美国贸易禁令打击时，这家中国供应商努力减少对美国芯片供应的依赖。业内消息人士称，厦门三安制造了其内部开发的 PA 芯片。

GaN 领域的其他中国公司包括：衬底制造商苏州纳维科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、外延供应商苏州晶湛半导体有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、成都海威华芯科技有限公司。

苏州纳维科技致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化，经过10年努力，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国内唯一一家、国际上少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位；氮化镓产品性能综合指标国际领先，未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

来源：中国氮化镓行业发展深度调研与未来投资研究报告（2023-2030年）

随着 GaN 技术的成熟，其应用将从消费电子产品的快速充电产品扩展到 PC、服务器和电视的电源。它们还将广泛用于电动汽车的汽车充电器和转换器。

国际厂商也在扩大在中国的 GaN 开发。Transphorm 是 GaN 革命的全球领导者，设计和制造用于高压电源转换应用的高性能和高可靠性 GaN 半导体，拥有最大的 Power GaN IP 组合之一，拥有 1000 多项自有或许可专利，生产业界首款符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的高压 GaN 半导体器件。基于中国喜人的市场，Transphorm 宣布已在中国深圳开设新办事处。作为一家外商独资企业 (WFOE)，该网站将配备负责加强本地客户支持、销售和营销工作的员工。它还将作为区域客户开发基于 GaN 的电源系统以及全球研发工作的应用实验室。该办公室将由 Transphorm 现任亚洲销售副总裁 Kenny Yim 监督，同时他还兼任中国区总经理一职。他将得到 Transphorm 七年经验的亚洲应用主管 Chun Hung Ho 的支持。

Kenny 认为：“中国大陆与香港特区以及东南亚有着诸多活跃的功率器件应用产业，使用高性能的氮化镓有望重塑电力电子市场。深圳也是中国重要的电子技术中心，在这个城市设立正式机构对我们的发展战略至关重要，因为我们的客户非常倚重该地区的电力电子创新。在这里建立应用实验室可以让我们有效地凭藉当地工程人才，为本地设计中心提供更好的客户支持。这对各方来说都是双赢。”