化合物半导体基板市场受到功率和光子学应用的强烈推动，到 2027 年将达到接近24亿美元，复合年增长率为 16%。

在过去的几十年中，化合物半导体 (CS) 已被用于各种应用。最近，功率器件中的 SiC 和 GaN，RF 中的 GaN 和 GaAs，光子学中的 GaAs 和 InP，以及显示器中的 LED 和 µLED，都获得了强劲的发展势头。因此，基板和外延片市场有望相应增长。

当“基板直径转变”发生时，基板公司可能会通过提供外延片或设备进入供应链的下一个层次。

Wolfspeed 是功率 SiC 和 RF GaN 的领先 SiC 衬底和外延片供应商。由于大幅面基板是下一代器件制造的战略资源，8 英寸晶圆厂的开设和材料产能的扩大说明了未来十年要实现的雄心勃勃的目标。同时，II-VI完成了对Coherent公司的收购，并更名了公司，从而体现了公司重心的转变。现在，Coherent公司是领先的光子器件厂商，也是功率和射频应用领域领先的 SiC 衬底供应商。而且，该公司正与 SEDI 在 RF GaN 器件制造方面合作，并与 GE 一起进入功率 SiC 器件业务。两者都在从衬底级到器件级加强竞争力。

AXT、住友电工、Freiberger 和 SICC 是 GaAs、InP 和半绝缘 SiC 基板的领先供应商。增加收入的目标依赖于将业务扩展到其他 CS 材料。这些玩家正在研究用于射频、光子学和 µLED 应用的 GaAs 和 InP 基板之间的协同作用。此外，半绝缘 SiC 的玩家正在进入 n 型 SiC，以寻求更高增长率的市场。

外延片供应商同样受惠于外延片市场的不同动态。由于IQE已涉足多个市场（例如RF GaAs和GaN），InP和GaAs光子学的两位数CAGR代表了市场的数量和规模。µLED 是一个蓬勃发展的市场，预计在未来五年内每年都会翻一番。VPEC 成功成为公开市场上最大的 RF GaAs 外延片供应商，并且该公司继续增加其在光子学领域的参与以实现未来增长。

随着 LED、手机功率放大器以及电信和数据通信，化合物半导体在 1990 年代经历了 GaAs 和 InP 的第一个转折点。随着当今市场对智能手机中 5G 连接、电动汽车和快速充电器的需求，化合物半导体的数量和市场价值都将增长。

展望未来，电动汽车和更高电压的应用、各种终端系统中的传感、5G 到 6G 的过渡以及 µLED 显示将为不同的化学物半导体材料带来膨胀点，以及更多新兴基板和新应用来。