3月20日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

镓仁表示，基于上述成果，镓仁也成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

据介绍，此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有以下显著优势：一是铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；二是铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；三是铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。

虽然碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）一直是商用器件中占主导地位的宽带隙半导体，但是超宽带隙（UWBG）β 相氧化镓（β-Ga2O3）正逐渐成为下一代大功率和射频电子器件的材料，称之为第四代半导体材料。与第三代半导体碳化硅、氮化镓相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件，节省配套散热和晶圆面积，进一步降低成本。

就氧化镓衬底方面来看，日本的NCT目前占据领先地位。但随着国内企业制备氧化镓衬底的技术升级和产能提升，总体呈现追赶态势，后续有望获取更多的氧化镓市场。

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