近日上海微系统所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300mm 射频（RF）SOI晶圆。

团队基于集成电路材料全国重点实验室300mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。300mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推动国内RF-SOI芯片设计、代工以及封装等全产业链的协同快速发展，并为国内SOI晶圆的供应安全提供坚实的保障。
 

SOI可使用的元件范围十分广泛，例如通讯射频前端的RF-SOI应用、高功率Power-SOI元件、光通讯Photonics-SOI技术等。绝缘体上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现、有其独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。