来源：化合物半导体市场、半导体材料行业协会等

SK Siltron：年内布局三代半动态连连

日前，SK siltron与IQE达成战略合作协议，专注于化合物半导体产品的研发及商业化。

IQE和SK siltron将专注于开发和提供碳化硅基 (SiC) 氮化镓 (GaN) 创新外延片，用于无线通信市场的射频应用，以及硅基氮化镓在一系列市场中的电力电子应用，这些氮化镓器件市场总额可达数十亿美元，预计在消费、电信和汽车应用方面会有强劲增长。

今年以来，SK siltron动态连连。

3月，SK siltron在美国密歇根州贝城建设的SiC半导体晶圆工厂正式投入运营，韩媒表示年产量预计将在6万片晶圆左右。该晶圆厂将生产SiC晶圆的基材，即晶锭和衬底，6英寸SiC衬底是主要产品。

9月，SK Siltron计划与RFHIC和Yes Power Technix成立一家合资企业，开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体。该计划正在等待SK集团控股公司SK Inc.的批准。

SK siltron是韩国SK集团旗下韩国唯一的半导体晶圆制造商，是当前全球第五大硅晶圆厂商，SEMI数据显示，SK Siltron全球市占率约11.31%。目前，该公司在韩国、美国生产SiC晶圆，也在开发GaN晶圆。此前，SK集团曾宣布，计划在SiC半导体晶圆业务上投资7000亿韩元（约合人民币38.22亿元）。

数据源于SEMI，图源于开源证券

随着以新能源车为代表的下游需求激增，SiC和GaN等第三代化合物半导体逐渐成为各家厂商的必争之地。除部分第三代半导体晶圆龙头企业（如wolfspeed、II-IV、天岳先进等），传统大硅片龙头厂商仍在积极布局。

信越化学：大幅扩产GaN,计划实现产量翻倍

5月18日，日本半导体材料巨头信越化学宣布他们将加速氮化镓（GaN）外延生长衬底及其相关产品的商业化。

信越表示，他们在2019年与美国Qromis公司开展了第一次合作，双方就制造 GaN 衬底材料签订了专利许可协议。信越负责生产氮化镓衬底和氮化镓同质外延片。而在信越此次的扩产中，它将与美国Qromis公司展开进一步的深入合作，通过改进其专有技术，提升6英寸和8英寸的氮化镓衬底生产能力，计划实现产量翻倍，以满足市场快速增长的需求。根据Qromis的介绍，他们已经发布了6英寸和8英寸氮化镓的新品衬底，以及具有5微米和10微米GaN层的“模板”，产品良率为90%。

此前报道过，比利时研究实验室imec开发了1200V的氮化镓技术，硬击穿超过1800V，该成果的实现就是基于Qromis公司的200mm QST衬底。

环球晶圆：启动扩产第三代半导体，GaN及SiC产能均将翻倍增长

据台湾工商时报、联合新闻网等报道，半导体硅晶圆厂环球晶于2021年12月22日宣布，明年（2022年）将启动扩产第三代半导体，GaN（氮化镓）及SiC（碳化硅）产能均将翻倍增长。

具体来说，SiC方面，明年公司将进一步延伸SiC制程；同时，计划在美国扩充SiC外延片产能，计划1月引进设备，新产能也已被客户抢购一空。