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三代半功率器件突破!鸿海9月量产1200V 碳化硅MOSFET,并启动8吋SiC晶体开发
2022-10-21 | 共 1195 次 阅读

来源:经济日报


1019日消息,在昨日举行的2022年度鸿海科技日(HHTD22)上,鸿海科技在发布全新电动汽车的同时,也展示了其面向电动汽车的第三代半导体碳化硅(SiC)器件研发成果,不仅已具备量产SiCMOSFET的能力,还启动了开发8英寸SiC晶圆的工作。

 

据鸿海科技现场工作人员介绍,鸿海正积极布局面碳化硅功率元件,第三季度已启动开发8SiC晶体,旗下鸿扬半导体自主开的发1200V碳化硅为基础的金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET),已在9月开始产出,并结合不同功率元件设计。

 

在技术部分,工作人员指出,鸿扬在碳化硅元件已具备模拟能力,提供客户制程参数,供元件设计参考,此外鸿扬也可提供制程代工服务、以及电性量测服务,提供具有竞争力的碳化硅功率元件。

 

展望应用,工作人员表示,鸿扬的1200V SiC MOSFET元件,可应用在车载AC/DCDC/DC电流转换器、车载充电器(OBC)、以及太阳光电逆变器等。

 

鸿海也展示与盛新材料合作6SiC导电型(N-type)晶圆基板产品,可应用在电动车、轨道交通、以及大功率输电发电等领域。现场工作人员透露,第3季鸿海与盛新材料合作,开始研发8SiC晶体。

 

鸿海集团去年8月以新台币25.2亿元取得旺宏竹科6吋晶圆厂、布局碳化硅晶圆制造,以鸿扬半导体为主体,预计今年底产线建置完成,明年上线生产。

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